IKW75N60T 是 Infineon Technologies 推出的一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。以下是关于该产品的主要说明：
1. 高功率能力：IKW75N60T 具有高功率承载能力，适用于高功率应用，如电机驱动、电源和逆变器等。
2. 低导通电阻：该器件具有低导通电阻，能够降低功率损耗和温升，提高效率。
3. 低开启电压：IKW75N60T 具有低开启电压特性，可以在较低的驱动电压下实现快速开关。
4. 高可靠性：该器件采用高质量的材料和制造工艺，具有良好的可靠性和稳定性，适用于长期运行和严苛环境条件。
5. 高温工作能力：IKW75N60T 具有较高的工作温度范围，适用于高温环境和高温应用。
6. TO-247 封装：该器件采用 TO-247 封装，具有较大的散热面积和良好的散热性能，有助于降低温度并提高可靠性。
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 428 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极连续电流: 80 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 21.1 mm
长度: 16.03 mm
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
宽度: 5.16 mm
零件号别名: SP000054889 IKW75N6TXK IKW75N60TFKSA1
单位重量: 38 g
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